La Comisión Europea ha aprobado la ayuda estatal de Austria a Infineon Technologies para modernizar su planta de semiconductores en Villach y convertirla en la primera fábrica mundial de la próxima generación de chips.
La Comisión Europea ha aprobado 319 millones de euros en ayudas estatales austríacas para el gigante de los semiconductores Infineon Technologies, con el fin de apoyar un proyecto de modernización y ampliación, valorado en 1.100 millones de euros, de su fábrica en Villach. La inversión permitirá a la compañía aumentar la producción y crear lo que, según afirma, será la primera planta del mundo de fabricación a gran escala de semiconductores de potencia de nitruro de galio de nueva generación sobre obleas de 300 milímetros.
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La Comisión señaló en su comunicado (fuente en inglés) de este miércoles 28 de octubre que la medida, adoptada en virtud del Chips Act de la UE, ayudará a “reforzar la posición y la autonomía de la UE en la cadena de valor de los semiconductores”. El bloque busca reducir su dependencia de las importaciones de semiconductores de terceros países y consolidarse como líder tecnológico junto a EE.UU. y China.
La UE se ha marcado el objetivo de aumentar su cuota en la producción mundial de semiconductores del 10% en 2023 al 20% en 2030. El Chips Act también pretende estimular la demanda de chips fabricados en Europa y ayudar a los proveedores europeos a escalar sus operaciones.
Infineon sostiene que la inversión convertirá su planta de Villach en un “centro de competencia global para semiconductores de potencia”.
El canciller austríaco, Christian Stocker, aseguró que el proyecto es “una de las mayores inversiones individuales en la historia de la industria de alta tecnología de Austria”.
“Esto no solo supone un fuerte compromiso con Austria como lugar de negocios, sino que también contribuye a garantizar que el futuro de la industria de los semiconductores no se decida únicamente en Asia o Estados Unidos, sino también en Austria y Europa”, añadió.
Infineon, empresa alemana especializada en sistemas de potencia y semiconductores para automoción, ostenta una cuota de mercado del 29% en el primer segmento y del 50% en chips para automóviles.
“Esta importante inversión muestra nuestro claro compromiso con el fortalecimiento del ecosistema europeo de semiconductores y la soberanía tecnológica de Europa”, afirmó Jochen Hanebeck (fuente en inglés), consejero delegado de Infineon Technologies AG.
“Al implantar la fabricación a gran escala en obleas de 300 milímetros, seremos la primera empresa del mundo en llevar la electrónica de potencia de nitruro de galio a la producción en volumen”, agregó.
Un nuevo tipo de semiconductor
Infineon afirma que fue la primera empresa que logró procesar con éxito obleas de nitruro de galio (GaN) de 300 milímetros en 2024.
Los semiconductores de potencia de GaN están sustituyendo cada vez más al silicio en la electrónica de potencia porque soportan tensiones más altas, conmutan con mayor rapidez y toleran temperaturas superiores.
Se utilizan en cargadores para teléfonos inteligentes, ordenadores portátiles y tabletas, así como en centros de datos de inteligencia artificial, vehículos eléctricos, paneles solares, aerogeneradores, estaciones base de telecomunicaciones 5G y 6G y robots. Su eficiencia energética los hace especialmente útiles en aplicaciones en las que es importante reducir el consumo de electricidad.
Las obleas de 300 milímetros son más grandes que las versiones convencionales de 200 milímetros, lo que permite producir 2,3 veces más chips individuales por oblea y abarata los costes de fabricación.
Los analistas prevén que el mercado de semiconductores de potencia de GaN alcance aproximadamente 3.100 millones de dólares en 2031, lo que supondría un crecimiento anual de alrededor del 35% entre 2025 y 2031.
Se espera que las mejoras en la planta de Villach se hayan completado en 2034.